年度晶圓出貨量首次突破200萬(wàn)片，銷(xiāo)售收入和毛利率雙雙增長(cháng)，32個(gè)季度連續盈利……這就是華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）交出的2018年亮眼成績(jì)單。受惠于全球市場(chǎng)對特色工藝平臺及創(chuàng )新性制造技術(shù)的高度認可，2018年華虹宏力的產(chǎn)能利用率高達99.2%，居于行業(yè)領(lǐng)先地位。在市場(chǎng)環(huán)境多變、中美貿易關(guān)系不確定性的情況下，華虹宏力為何能取得如此卓越成績(jì)？

近日，在第八屆年度中國電子ICT媒體論壇暨2019產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì )上，華虹宏力戰略、市場(chǎng)與發(fā)展部科長(cháng)李健以《電動(dòng)汽車(chē)“芯”機遇》為題，闡述了汽車(chē)電動(dòng)化下產(chǎn)業(yè)新機遇，以及華虹宏力為擁抱這波機遇所做的戰略布局。從中，你我將得以管窺華虹宏力亮眼成績(jì)背后的選擇與努力。

功率半導體：未來(lái)新技術(shù)融合的時(shí)代召喚

縱觀(guān)全球半導體歷史，整個(gè)產(chǎn)業(yè)保持震蕩向上走勢。李健介紹道，疊加美國總統在任時(shí)間線(xiàn)后可見(jiàn)，克林頓、小布什和奧巴馬任期中，臺式電腦、功能手機、智能手機的興盛陸續對半導體市場(chǎng)起到了很好的刺激作用。隨后，2016到2018年，整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)率高達20%以上；時(shí)值5G、人工智能、大數據、云計算等新技術(shù)蓬勃興起之時(shí)，智能汽車(chē)成為多技術(shù)融合載體，負擔起拉動(dòng)半導體快速上揚的重任。

汽車(chē)雖然是傳統的制造業(yè)，但卻是個(gè)能讓人熱血沸騰的制造業(yè)，因為汽車(chē)承載了人類(lèi)跑得更快、探索遠處的夢(mèng)想。在市場(chǎng)對節能減排和駕駛舒適性的更高要求下，新能源汽車(chē)逐步走向時(shí)代舞臺中央。有別于傳統燃油車(chē)，新能源汽車(chē)里的電機、電池、車(chē)載充電機、電機逆變器和空調壓縮機等，都需要大量的功率半導體。據Strategy Analytics測算，傳統燃油車(chē)功率半導體用量?jì)H71美元，而新能源汽車(chē)上功率半導體用量至少翻番，純電動(dòng)車(chē)（BEV）上更是大幅增長(cháng)至384美元，增幅高達441%。汽車(chē)電動(dòng)化除了車(chē)輛本身的變化之外，后裝的零部件和配套用電設施市場(chǎng)，如充電樁，同樣帶來(lái)大量的功率器件需求。隨著(zhù)汽車(chē)電子化的進(jìn)程推進(jìn)，為汽車(chē)帶來(lái)更強壯“肌肉”、讓汽車(chē)跑得更穩健的功率半導體獲得大幅增長(cháng)的同時(shí)，也帶動(dòng)功率半導體晶圓制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)入突飛猛進(jìn)的高速發(fā)展期。

以時(shí)下很熱的IGBT舉例來(lái)說(shuō)，電動(dòng)汽車(chē)前后雙電機各需要18顆IGBT，車(chē)載充電機需要4顆，電動(dòng)空調8顆，總共一臺電動(dòng)車(chē)需要48顆IGBT芯片。按照國內2020年新能源汽車(chē)目標銷(xiāo)量將達到200萬(wàn)臺、后裝維修零配件市場(chǎng)按1：1配套計，粗略估算國內市場(chǎng)大概需要10萬(wàn)片/月的8英寸車(chē)規級IGBT晶圓產(chǎn)能（按120顆IGBT芯片/枚折算），全球汽車(chē)市場(chǎng)可能需要30萬(wàn)片/月！

核“芯”技術(shù)：用研發(fā)創(chuàng )新贏(yíng)得市場(chǎng)贊譽(yù)

在汽車(chē)電子化大潮涌動(dòng)之時(shí)，長(cháng)期持續動(dòng)態(tài)追蹤市場(chǎng)變化的華虹宏力敏銳地洞察業(yè)界動(dòng)向并及時(shí)布局：華虹宏力是全球第一家關(guān)注功率器件的8英寸純晶圓廠(chǎng)，早在2002年已開(kāi)始功率半導體的自主創(chuàng )“芯”路，是業(yè)內首個(gè)擁有深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場(chǎng)截止型IGBT（Field Stop，FS IGBT）工藝平臺的8英寸代工廠(chǎng)。產(chǎn)品線(xiàn)上，華虹宏力的功率半導體產(chǎn)品全面涵蓋從200V以下低壓段、300V到800V的中高壓、以及600V到3300V甚至高達6500V的高壓段等應用，聚焦于Trench MOS/SGT、DT-SJ和IGBT等，并密切關(guān)注GaN/SiC等新型寬禁帶材料的發(fā)展。