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華為低調入場(chǎng)，IGBT國產(chǎn)化進(jìn)程加速2019-11-28
集微網(wǎng)消息，近年來(lái)，在國際節能環(huán)保的大趨勢下，新能源汽車(chē)、變頻家電、新能源發(fā)電等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，工業(yè)控制及電源行業(yè)市場(chǎng)也逐步回暖。IGBT是變頻器、工業(yè)控制、電源行業(yè)以及新能源汽車(chē)的核心元器件，下游市場(chǎng)的繁榮對IGBT需求逐步擴大，IGBT市場(chǎng)得到高速增長(cháng)。
據市場(chǎng)研究機構IC Insights指出，在各類(lèi)半導體功率器件組件中，未來(lái)增長(cháng)強勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。除增長(cháng)強勁外，IGBT也是含金量最高的功率器件。
由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門(mén)檻較高、人才匱乏、市場(chǎng)開(kāi)拓難度大、資金投入較大等困難，國內企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中一直進(jìn)展緩慢，隨著(zhù)全球制造業(yè)向中國的轉移，我國功率半導體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)，但IGBT產(chǎn)品嚴重依賴(lài)進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴(lài)進(jìn)口，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
華為低調入場(chǎng)
近日，筆者從一名業(yè)內人士獲得消息，華為也開(kāi)始研發(fā)IGBT，目前正在從某國內領(lǐng)先的IGBT廠(chǎng)商中挖人。
據了解，憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢，華為早已成為UPS電源的領(lǐng)軍企業(yè)，占據全球數據中心領(lǐng)域第一的市場(chǎng)份額，而IGBT作為能源變換與傳輸的核心器件，也是華為UPS電源的核心器件。
在華為被卷入中美貿易戰之前，華為海思主要研發(fā)數字芯片，并不涉及功率半導體，而華為所需的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠(chǎng)處采購。華為被列入實(shí)體清單后，有消息稱(chēng)，英飛凌在美國政府的施壓下曾暫停供貨，盡管英飛凌很快澄清了該傳聞，并表示，其向華為提供的絕大多數產(chǎn)品都不受美國出口管制法限制，因此這些產(chǎn)品將繼續供貨。
雖不知英飛凌的IGBT產(chǎn)品是否受到出口管制的影響，但這件事顯然給了華為警醒。目前，在二極管、整流管、mos管等領(lǐng)域，華為正在積極與安世半導體、華微電子等國內廠(chǎng)商合作，加大對國內功率半導體產(chǎn)品的采購量，而在高端IGBT領(lǐng)域，華為卻不得不開(kāi)啟自研之路。
碳化硅和氮化鎵都是當前功率半導體的核心技術(shù)方向，無(wú)論是英飛凌、ST等全球功率半導體巨頭還是華潤微、中車(chē)時(shí)代半導體等國內功率廠(chǎng)商都重注在該領(lǐng)域，同樣，開(kāi)始向功率半導體領(lǐng)域進(jìn)軍的華為也不例外。
根據天眼查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。據悉，山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
相對于傳統的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍，因此，碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。
任正非曾經(jīng)說(shuō)過(guò)，華為是不做股權投資的，如果投資一定是戰略投資。顯然，華為正在對高端功率半導體領(lǐng)域進(jìn)行戰略投入，在其強有力的資金支持和技術(shù)優(yōu)勢下，華為在IGBT領(lǐng)域定能有所突破。
IGBT國產(chǎn)化進(jìn)程加速
除新入局的華為外，在市場(chǎng)需求的吸引下，早有一批具備IGBT相關(guān)經(jīng)驗的海外華人歸國投身IGBT行業(yè)，同時(shí)國家大量資金流入IGBT行業(yè)，我國IGBT產(chǎn)業(yè)化水平有了一定提升，比亞迪微電子、中車(chē)時(shí)代半導體、斯達股份、士蘭微等部分企業(yè)已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn)，在市場(chǎng)上也有不錯的表現。
此外，近年來(lái)，原從事二極管、三級管、晶閘管等技術(shù)含量較低的功率半導體廠(chǎng)商，華微電子、揚杰科技、捷捷微電以及臺基股份等紛紛向MOSFET與IGBT領(lǐng)域突圍，部分下游應用廠(chǎng)商也向上游IGBT領(lǐng)域布局。
據另一業(yè)內人士表示，在國內廠(chǎng)商的共同努力之下，目前，白色家電、逆變器、逆變電源、工業(yè)控制等國內中低端市場(chǎng)已經(jīng)逐步完成了國產(chǎn)化替代，不過(guò)，在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)等要求非常高的領(lǐng)域，國內IGBT廠(chǎng)商有待突破。
在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，目前，比亞迪微電子、斯達股份、上汽英飛凌等廠(chǎng)商的IGBT模塊產(chǎn)品已經(jīng)出貨，中車(chē)時(shí)代半導體的汽車(chē)用IGBT產(chǎn)品也正在送樣測試；在國家電網(wǎng)方面，除中車(chē)時(shí)代半導體的IGBT產(chǎn)品已進(jìn)入市場(chǎng)外，今年10月份，國電南瑞宣布與國家電網(wǎng)有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司共同投資設立南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司，實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。
與此同時(shí)，比亞迪微電子、斯達股份等國內領(lǐng)先的IGBT廠(chǎng)商紛紛開(kāi)啟上市征程，期望借助資本的力量再上新臺階。顯然，一場(chǎng)關(guān)于IGBT國產(chǎn)替代的“戰役”正在拉開(kāi)帷幕。
